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2SA1978-T1B-A - Renesas
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图片信息
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2SA1978-T1B-A
  • 制造厂家：Renesas（瑞萨电子）
  • 类别封装：RF 晶体管（BJT），TO-236-3
  • 技术参数：RF TRANSISTOR PNP SOT-23
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2SA1978-T1B-A 技术参数详情：
  • Renesas瑞萨完整型号: 2SA1978-T1B-A
  • 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
  • 功能总体简述: RF TRANSISTOR PNP SOT-23
  • 系列: -
  • 晶体管类型: PNP
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）: 12V
  • 频率 - 跃迁: 5.5GHz
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: 2dB @ 1GHz
  • 增益: 10dB
  • 功率 - 最大值: 200mW
  • 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: 20 @ 15mA，10V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 50mA
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装: SOT-23
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