SH8MA2GZETB - ROHM
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图片信息
SH8MA2GZETB
制造厂家:
ROHM(罗姆)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-SOP
技术参数:
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP
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SH8MA2GZETB 技术参数详情:
型号:SH8MA2GZETB
品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
封装:8-SOP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:N 和 P 沟道
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):80mOhm @ 4.5A,10V,82mOhm @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):3nC @ 4.5V,6.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):125pF @ 15V,305pF @ 15V
功率 - 最大值:1.4W(Ta)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP
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