SH8K2TB1 - ROHM
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图片信息
SH8K2TB1
制造厂家:
ROHM(罗姆)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-SOP(5.0x6.0)
技术参数:
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
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SH8K2TB1 技术参数详情:
型号:SH8K2TB1
品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
封装:8-SOP(5.0x6.0)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:不适用于新设计
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10.1nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):520pF @ 10V
功率 - 最大值:2W
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SMD,鸥翼
供应商器件封装:8-SOP(5.0x6.0)
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