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RCD075N19TL - ROHM
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图片信息
RCD075N19TL 图片
RCD075N19TL
  • 制造厂家：ROHM（罗姆）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:CPT3
  • 技术参数：MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
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RCD075N19TL 技术参数详情：
  • 型号:RCD075N19TL
  • 品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
  • 封装:CPT3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:最后售卖
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:190 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:336 毫欧 @ 3.8A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:850mW（Ta），20W（Tc）
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:CPT3
  • 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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