R6011ENXC7G - ROHM
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图片信息
R6011ENXC7G
制造厂家:
ROHM(罗姆)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220FM
技术参数:
600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
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R6011ENXC7G 技术参数详情:
型号:R6011ENXC7G
品牌:Rohm Semiconductor (Rohm,罗姆半导体)
封装:TO-220FM
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):390 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):32 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):670 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):53W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FM
封装/外壳:TO-220-3 整包
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