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Quest Semi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
QS1200SCM36 图片
  • 制造厂家:Quest Semi
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:PG-TO247-3
  • 技术参数:1200V 36AMP SiC Mosfet
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QS1200SCM36 技术参数详情:
  • 型号:QS1200SCM36
  • 品牌:Quest Semi公司 (Queensland Semiconductor Technologies)
  • 封装:PG-TO247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:1200V 36AMP SiC Mosfet
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss):1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.8V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 毫欧 @ 20A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 100A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):60 nC @ 600 V
  • Vgs(最大值):+25V,-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1001 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):198W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:PG-TO247-3
  • 封装/外壳:TO-247-3
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