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图片信息
PRXS02FB12HDB1 图片
  • 制造厂家:Powerex
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:-
  • 技术参数:SIC MODULE 3 PHASE
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PRXS02FB12HDB1 技术参数详情:
  • 型号:PRXS02FB12HDB1
  • 品牌:Powerex Inc. (Powerex)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:SIC MODULE 3 PHASE
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅(SiC)
  • 配置:6 N 沟道(三相逆变器)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):685A(Tj)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.3 毫欧 @ 800A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.8V @ 80mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):1520nC @ 18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):32000pF @ 850V
  • 功率 - 最大值:1923W(Tj)
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:-
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