TO220FMD12N65F - NextGen
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图片信息
TO220FMD12N65F
制造厂家:
NextGen (NextGen Components)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:-
技术参数:
MOSFET TO-220F N 650V 12A
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TO220FMD12N65F 技术参数详情:
型号:TO220FMD12N65F
品牌:NextGen Components (NextGen)
封装:-
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET TO-220F N 650V 12A
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):0.8 欧姆 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):41.9 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):-
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:-
供应商器件封装:-
封装/外壳:-
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