BZT52B8V2LS001 - NextGen
NextGen代理商
全球现货渠道
强大的现货交付能力,轻松满足您的射频微波器件采购需求
首页
产品中心
典型品牌
热门器件
行业新闻
关于我们
联系我们
热门关注品牌:
ITECH
Toshiba
Workswell
Sensore
Guerrilla RF
BJ-USA
图片信息
BZT52B8V2LS001
制造厂家:
NextGen (NextGen Components)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SOD-123
技术参数:
DIODE ZENER 8.2V 500mW SOD-123
需要BZT52B8V2LS001的报价? 那就马上联系我们吧!
最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购
BZT52B8V2LS001 技术参数详情:
型号:BZT52B8V2LS001
品牌:NextGen Components (NextGen)
封装:SOD-123
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
描述:DIODE ZENER 8.2V 500mW SOD-123
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):8.2 V
容差:±2%
功率 - 最大值:500 mW
阻抗(最大值)(Zzt):14 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:630 nA @ 5 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOD-123
供应商器件封装:SOD-123
快速提供
BZT52B8V2LS001
专业且全面的报价,
NextGen代理
货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多NextGen产品:
XD8M000000S416
晶体,振荡器,谐振器 > 晶体
SMBJ080AL0S0KR
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
CP3M580000S033
晶体,振荡器,谐振器 > 谐振器
SMBJ150CL0S0EL
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
XB7M372800S408
晶体,振荡器,谐振器 > 晶体
SIR315M050S042
晶体,振荡器,谐振器 > 谐振器
SM8S13CAL0SL13
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
SMF110CAL0S0PE
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
YG11M05920S410
晶体,振荡器,谐振器 > 晶体
SMBJ075CALS0AP
电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
968-043
传感器,变送器 > 气体传感器
OP120
开发板,套件,编程器 > 评估板 > 扩展板,子卡
LED75W-036-C2100
电源 - 外部/内部(板外) > LED 驱动器
MI1548S-12RW
板安装电源 > 直流转换器
TPM2850-01
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
NextGen公司授权代理商
Transko
Ablic
DIT
IDT
Parlex
BZT52B8V2LS001
(制造商:NextGen) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台