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PSMN2R9-100SSEJ - Nexperia
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图片信息
PSMN2R9-100SSEJ 图片
PSMN2R9-100SSEJ
  • 制造厂家：Nexperia（安世半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:LFPAK88（SOT1235）
  • 技术参数：POWERMOS ASFETS
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PSMN2R9-100SSEJ 技术参数详情：
  • 型号:PSMN2R9-100SSEJ
  • 品牌:Nexperia USA Inc. (Nexperia,安世半导体)
  • 封装:LFPAK88（SOT1235）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:POWERMOS ASFETS
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):210A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.6V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:188 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13280 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:341W（Ta）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:LFPAK88（SOT1235）
  • 封装/外壳:SOT-1235
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