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PSMN2R2-40BS - Nexperia
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图片信息
PSMN2R2-40BS 图片
PSMN2R2-40BS
  • 制造厂家：Nexperia（安世半导体）
  • 类别封装：FET，MOSFET - 单-晶体管，TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 技术参数：MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
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PSMN2R2-40BS 技术参数详情：
  • Nexperia公司器件型号：PSMN2R2-40BS,118
  • 制造商：Nexperia（安世半导体）
  • 功能总体描述：MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：-
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：N 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：40V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：130nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：8423pF @ 20V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：306W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.2 毫欧 @ 25A，10V
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • Nexperia公司标准封装：D2PAK
  • 封装形式：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • PSMN2R2-40BS的标准包装数量(SPQ)：800 PCS
  • 快速提供PSMN2R2-40BS专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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