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Nexperia产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
PMZB380XN 图片
  • 制造厂家:Nexperia(安世半导体)
  • 类别封装:FET,MOSFET - 单-晶体管,3-XFDFN
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
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PMZB380XN 技术参数详情:
  • Nexperia公司器件型号:PMZB380XN,315
  • 制造商:Nexperia(安世半导体)
  • 功能总体描述:MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN
  • 所属类别:FET,MOSFET - 单-晶体管
  • 系列:-
  • 零件状态:已经停产
  • FET 类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):930mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.87nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):56pF @ 25V
  • Vgs(最大值):-
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):460 毫欧 @ 200mA,4.5V
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • Nexperia公司标准封装:3-DFN1006B(0.6x1)
  • 封装形式:3-XFDFN
  • PMZB380XN的标准包装数量(SPQ):10000 PCS
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