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PMPB29XNE - Nexperia
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图片信息
PMPB29XNE 图片
PMPB29XNE
  • 制造厂家：Nexperia（安世半导体）
  • 类别封装：FET，MOSFET - 单-晶体管，6-UDFN
  • 技术参数：MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN
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PMPB29XNE 技术参数详情：
  • Nexperia公司器件型号：PMPB29XNE,115
  • 制造商：Nexperia（安世半导体）
  • 功能总体描述：MOSFET N-CH 30V 5A 6DFN
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：-
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：N 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：18.6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1150pF @ 15V
  • Vgs（最大值）：-
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.7W（Ta），12.5W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：33 毫欧 @ 5A，4.5V
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • Nexperia公司标准封装：6-DFN2020MD（2x2）
  • 封装形式：6-UDFN
  • PMPB29XNE的标准包装数量(SPQ)：3000 PCS
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