PMPB05R4ENX - Nexperia
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图片信息
PMPB05R4ENX
制造厂家:
Nexperia(安世半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:DFN2020M-6
技术参数:
PMPB05R4EN/SOT1220-4/DFN2020M-
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PMPB05R4ENX 技术参数详情:
型号:PMPB05R4ENX
品牌:Nexperia USA Inc. (Nexperia,安世半导体)
封装:DFN2020M-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:PMPB05R4EN/SOT1220-4/DFN2020M-
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:南皇电子 停止提供
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6.6 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):984 pF @ 15 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.7W(Ta),19W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DFN2020M-6
封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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