PMK50XP - Nexperia
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图片信息
PMK50XP
制造厂家:
Nexperia(安世半导体)
类别封装:
FET,MOSFET - 单-晶体管,8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
技术参数:
MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOIC
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PMK50XP 技术参数详情:
Nexperia公司器件型号:PMK50XP,518
制造商:Nexperia(安世半导体)
功能总体描述:MOSFET P-CH 20V 7.9A 8-SOIC
所属类别:FET,MOSFET - 单-晶体管
系列:TrenchMOS??
零件状态:在售
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1020pF @ 20V
Vgs(最大值):±12V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):5W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 2.8A,4.5V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
Nexperia公司标准封装:8-SO
封装形式:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PMK50XP的标准包装数量(SPQ):2500 PCS
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