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PMDXB600UNEZ - Nexperia
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图片信息
PMDXB600UNEZ 图片
PMDXB600UNEZ
  • 制造厂家：Nexperia（安世半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:DFN1010B-6
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
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PMDXB600UNEZ 技术参数详情：
  • 型号:PMDXB600UNEZ
  • 品牌:Nexperia USA Inc. (Nexperia,安世半导体)
  • 封装:DFN1010B-6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N-通道（双）
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:620 毫欧 @ 600mA，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:950mV @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.7nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:21.3pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:265mW
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-XFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:DFN1010B-6
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