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Nexperia产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
PHKD3NQ10T 图片
  • 制造厂家:Nexperia(安世半导体)
  • 类别封装:FET,MOSFET - 阵列-晶体管,8-SO
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
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PHKD3NQ10T 技术参数详情:
  • Nexperia公司器件型号:PHKD3NQ10T,518
  • 制造商:Nexperia(安世半导体)
  • 功能总体描述:MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
  • 所属类别:FET,MOSFET - 阵列-晶体管
  • 系列:TrenchMOS??
  • 零件状态:在售
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):21nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):633pF @ 20V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装形式:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • Nexperia公司标准封装:8-SO
  • PHKD3NQ10T的标准包装数量(SPQ):10000 PCS
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