射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
PHB191NQ06LT - Nexperia
Nexperia代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Nexperia产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
PHB191NQ06LT 图片
PHB191NQ06LT
  • 制造厂家：Nexperia（安世半导体）
  • 类别封装：FET，MOSFET - 单-晶体管，TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 技术参数：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  • 需要PHB191NQ06LT的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
PHB191NQ06LT 技术参数详情：
  • Nexperia公司器件型号：PHB191NQ06LT,118
  • 制造商：Nexperia（安世半导体）
  • 功能总体描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：TrenchMOS??
  • 零件状态：在售
  • FET 类型：N 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：55V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：75A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：95.6nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：7665pF @ 25V
  • Vgs（最大值）：±15V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.7 毫欧 @ 25A，10V
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • Nexperia公司标准封装：D2PAK
  • 封装形式：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • PHB191NQ06LT的标准包装数量(SPQ)：800 PCS
  • 快速提供PHB191NQ06LT专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Nexperia品牌LOGO
更多Nexperia产品：
Nexperia公司授权代理商
KDS
ROTH
SkyHigh
Option NV
SkyMirr
PHB191NQ06LT（制造商：Nexperia） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台