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PH8230E - Nexperia
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图片信息
PH8230E 图片
PH8230E
  • 制造厂家：Nexperia（安世半导体）
  • 类别封装：FET，MOSFET - 单-晶体管，SC-100，SOT-669
  • 技术参数：MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
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PH8230E 技术参数详情：
  • Nexperia公司器件型号：PH8230E,115
  • 制造商：Nexperia（安世半导体）
  • 功能总体描述：MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK
  • 所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
  • 系列：TrenchMOS??
  • 零件状态：Digi-Key 已不再提供
  • FET 类型：N 沟道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源极电压（Vdss）：30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：67A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 10V
  • Vgs（最大值）：-
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）
  • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.2 毫欧 @ 10A，10V
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装
  • Nexperia公司标准封装：LFPAK56，Power-SO8
  • 封装形式：SC-100，SOT-669
  • PH8230E的标准包装数量(SPQ)：- PCS
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