- 制造厂家:Nexperia
- 类别封装:瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管(电路保护),SC-76,SOD-323
- 技术参数:TVS DIODE 5VWM 33VC SOD323
- 需要PESD5V0L1BA,135的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购

PESD5V0L1BA,135 技术参数详情:
- 产品型号:PESD5V0L1BA,135
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管(电路保护)
- 产品描述:TVS DIODE 5VWM 33VC SOD323
- 产品封装:SC-76,SOD-323
- 产品系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 南皇定制卷带
- 产品状态:不适用于新设计
- 类型:齐纳
- 单向通道:-
- 双向通道:1
- 电压 - 反向断态(典型值):5V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):7V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):33V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs):15A(8/20μs)
- 功率 - 峰值脉冲:500W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:75pF @ 1MHz
- 工作温度:150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SC-76,SOD-323
- 供应商器件封装:SOD-323
- 快速提供PESD5V0L1BA,135专业且全面的报价,Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

更多Nexperia产品:
- 二极管 > 齐纳(分立半导体)
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列(分
- 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管(分立半导体
- 二极管 > 齐纳(分立半导体)
- 逻辑 > 缓冲器,驱动器,接收器,收发器(集
- 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管(分立半导体
- 逻辑 > 移位寄存器(集成电路(IC))
- 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管(分立半导体
- 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管(分立
- 射频放大器(射频和无线)
- 光学传感器 > 光电,工业(传感器,变送器)
- 同轴连接器(射频) > 同轴连接器(RF)适配
- 嵌入式 > 片上系统(SoC)(集成电路(IC)
- 同轴电缆(射频)(电缆组件)

PESD5V0L1BA,135(制造商:Nexperia) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台