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PESD3V3V1BLYL - Nexperia
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图片信息
PESD3V3V1BLYL 图片
PESD3V3V1BLYL
  • 制造厂家：Nexperia（安世半导体）
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:DFN1006-2
  • 技术参数：TVS DIODE 3.3VWM 10VC DFN1006-2
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PESD3V3V1BLYL 技术参数详情：
  • 型号:PESD3V3V1BLYL
  • 品牌:Nexperia USA Inc. (Nexperia,安世半导体)
  • 封装:DFN1006-2
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 3.3VWM 10VC DFN1006-2
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态（典型值）:3.3V（最大）
  • 电压 - 击穿（最小值）:4.5V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:10V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):5A（8/20s）
  • 功率 - 峰值脉冲:-
  • 电源线路保护:无
  • 应用:-
  • 不同频率时电容:13pF @ 1MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TA）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-882
  • 供应商器件封装:DFN1006-2
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