- 制造厂家:Nexperia
- 类别封装:瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管(电路保护),TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 技术参数:TVS DIODE 12VWM 39VC TO236AB
- 需要PESD12VU1UT,215的报价? 那就马上联系我们吧!
- 最快当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格,射频微波器件一站式采购

PESD12VU1UT,215 技术参数详情:
- 产品型号:PESD12VU1UT,215
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管(电路保护)
- 产品描述:TVS DIODE 12VWM 39VC TO236AB
- 产品封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 产品系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 南皇定制卷带
- 产品状态:在售
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态(典型值):12V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):14.2V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):39V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs):5A(8/20μs)
- 功率 - 峰值脉冲:200W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:0.6pF @ 1MHz
- 工作温度:-65°C ~ 150°C(TA)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:TO-236AB
- 快速提供PESD12VU1UT,215专业且全面的报价,Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。

更多Nexperia产品:
- 二极管 > 齐纳(分立半导体)
- 接口 > 模拟开关,多路复用器,解复用器(集
- 逻辑 > 门和反相器(集成电路(IC))
- 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管(分立半导体
- 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管(分立
- 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET(分
- 逻辑 > 信号开关,多路复用器,解码器(集成
- 逻辑 > 多谐振荡器(集成电路(IC))
- 二极管 > 齐纳(分立半导体)
- 逻辑 > 转换器,电平移位器(集成电路(IC)
- 光学传感器 > 光电,工业(传感器,变送器)
- 嵌入式 > FPGA(现场可编程门阵列)(集成电
- 嵌入式 > CPLD(复杂可编程逻辑器件)(集成
- 衰减器(射频和无线)
- 嵌入式 > 片上系统(SoC)(集成电路(IC)

PESD12VU1UT,215(制造商:Nexperia) - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台