图片信息
NHUMB11X 技术参数详情：
- 产品型号:NHUMB11X
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置（分立半导体）
- 产品描述:TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
- 产品封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
- 产品状态:在售
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:80V
- 电阻器 - 基极 (R1):10 千欧
- 电阻器 - 发射极 (R2):10 千欧
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:50 @ 10mA，5V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）:100mV @ 500μA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA
- 频率 - 跃迁:150MHz
- 功率 - 最大值:350mW
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装:6-TSSOP
- 快速提供NHUMB11X专业且全面的报价，Nexperia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
更多Nexperia产品：
逻辑 > 计数器，除法器（集成电路（IC））
逻辑 > 门和反相器（集成电路（IC））
瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管（电路
逻辑 > 缓冲器，驱动器，接收器，收发器（集
二极管 > 整流器 > 单二极管（分立半导体）
晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET（分
晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管（分立
二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管（分立半导体
二极管 > 齐纳（分立半导体）
二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管（分立半导体
嵌入式 > FPGA（现场可编程门阵列）（集成电
光纤收发器模块（光电器件）
传感器，变送器，配件（传感器，变送器）
可编程逻辑器件（PLC）（工业自动化与控制）
射频放大器（射频和无线）
NHUMB11X（制造商：Nexperia） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台