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- 制造厂家：Nexperia
- 类别封装：二极管 > 齐纳（分立半导体），SOD-882
- 技术参数：DIODE ZENER 3.3V 365MW 2DFN
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BZX884S-C3V3YL 技术参数详情：
- 产品型号:BZX884S-C3V3YL
- 产品品牌:Nexperia USA Inc.
- 产品类目:二极管 > 齐纳（分立半导体）
- 产品描述:DIODE ZENER 3.3V 365MW 2DFN
- 产品封装:SOD-882
- 产品系列:TrenchMOS
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
- 产品状态:停产
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):3.3 V
- 容差:±6.06%
- 功率 - 最大值:365 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt):95 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 μA @ 1 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:SOD-882
- 供应商器件封装:DFN1006BD-2
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BZX884S-C3V3YL（制造商：Nexperia） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台