BZX884S-B33-QYL - Nexperia
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图片信息
BZX884S-B33-QYL
制造厂家:
Nexperia(安世半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:DFN1006BD-2
技术参数:
DIODE ZENER 33V 365MW DFN1006BD
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BZX884S-B33-QYL 技术参数详情:
型号:BZX884S-B33-QYL
品牌:Nexperia USA Inc. (Nexperia,安世半导体)
封装:DFN1006BD-2
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
描述:DIODE ZENER 33V 365MW DFN1006BD
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:南皇电子 停止提供
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):33 V
容差:±2.12%
功率 - 最大值:365 mW
阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 nA @ 23.1 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
工作温度:150°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q100
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOD-882
供应商器件封装:DFN1006BD-2
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BZX884S-B33-QYL
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