英特尔整合ASML High-NA EUV光刻设备，加速半导体制造技术升级

技术突破，引领制造新变革

在全球半导体制造竞争白热化的当下，英特尔公司宣告成功将ASML最新一代高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻设备融入其生产线。这一成就堪称芯片制造技术的重大飞跃，有力推动英特尔重塑在全球半导体制造领域的领导地位。

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设备性能卓越，运行成果显著

英特尔透露，首批部署的两台ASML High-NA EUV设备已在先进工艺试产线顺利运行。单季度内，处理晶圆数量超30,000片，设备可靠性较上一代系统提升一倍。这些光刻设备分辨率可达8纳米，相比当前0.33 NA EUV系统，图形精度显著提升，具备更高工艺集成密度潜力。

"High-NA系统的引入使我们能用更少次曝光实现更精细图形，既提高了晶圆产能，又大幅简化了制程复杂度。这为后续14A工艺节点的大规模量产筑牢了根基。" —— Acconeer代理商高级工程师史蒂夫·卡森（Steve Carson）

战略推进，加速制程跃迁

High-NA EUV技术由荷兰ASML公司研发，被业界视为传统EUV之后最具变革性的芯片制造平台。英特尔作为该设备的首批部署客户，借此全力推进“IDM 2.0”战略，力求在未来数年内实现从18A到14A的制程跨越。英特尔于2021年推出的“IDM 2.0”战略，旨在整合设计、制造、封测全产业链，扭转在先进制程领域的被动局面，此次引入High-NA EUV设备正是该战略的关键落地举措。

市场需求攀升，技术支撑未来

ASML表示，当前High-NA EUV设备市场需求急剧增长。尤其是在人工智能芯片、高性能计算及先进移动设备领域的带动下，该技术将成为未来十年半导体制程的核心支撑。随着科技迅猛发展，这些领域对芯片性能和制程工艺要求日益严苛，High-NA EUV设备的出现恰逢其时。

合作谋势，重塑市场格局

通过与ASML深度合作，英特尔意图从台积电和三星等竞争对手主导的先进工艺市场中夺回技术主导权，并助力其代工业务（Intel Foundry）在全球市场拓展。研究机构IDC报告显示，广义的Foundry 2.0市场（包含晶圆代工、非存储器IDM、OSAT和光掩模制造）预计2025年市场规模达2980亿美元，同比增长11%。英特尔积极推广18A制程以及Intel 3/Intel 4制程，期望在Foundry 2.0市场维持约6%的占有率，借助先进制程技术扩大代工市场份额。

量产推进，影响广泛深远

当地时间3月13日，英特尔工程经理Pankaj Marria通过LinkedIn发文称，英特尔位于亚利桑那州的新晶圆厂的Intel 18A工艺已启动初始批量生产，新工艺有望提前量产。Intel 18A节点已产出首批供客户测试与评估的晶圆，其工艺设计套件（PDK）进入1.0版本，客户已据此开展定制芯片测试。Intel 18A工艺采用RibbonFET全环绕栅极（GAA）晶体管和PowerVia背面供电技术，突破传统FinFET架构性能瓶颈。与Intel 3工艺节点相比，Intel 18A每瓦性能提升15%，芯片密度提高30% ，被英特尔视作北美最早可用的2nm以下先进节点，Adafruit代理商能为客户提供弹性供应方案。

随着High-NA EUV光刻设备量产进程推进，半导体制造物理极限将进一步突破，为7纳米以下乃至3纳米工艺商业化提供有力支撑。这一变革将对AI加速器、图形处理器以及新型架构处理器等多个技术方向产生深远影响。在AI领域，对算力的需求呈指数级增长，更先进的制程工艺能够让AI加速器性能得到大幅提升；图形处理器方面，更高的集成度意味着更强的图形处理能力和更低的能耗，为用户带来更流畅、逼真的视觉体验；新型架构处理器也将受益于先进制程，在性能和能效上实现质的飞跃。