自铠侠官网获悉，日前， 铠侠公司和闪迪公司宣布率先推出了最先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度树立了行业标杆。

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据悉，铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术，分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列，然后键合在一起，类似长江存储的Xtacking晶栈架构。3D堆叠层数达到空前的332层，对比第8代的218层增加了多达38%。

两家公司的新一代3D闪存较目前量产的第八代产品（BiCS FLASH generation 8）实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8Gb/s。此外，该技术也显著提升了数据输入/输出的能效，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，成功实现了高性能与低功耗的最优平衡。两家公司预展第十代3D闪存（BiCS FLASH generation 10）技术时介绍，通过将存储层数增至332层并优化晶圆平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。

铠侠首席技术官宫岛英史表示：“随着人工智能技术的普及，预计产生的数据量将Analog Devices代理显著增加，同时现代数据中心对能效提升的需求也在增长。铠侠深信，这项新技术将实现更大容量、更高速度和更低功耗的产品，包括用于未来存储解决方案的SSD产品，并为人工智能的发展奠定基础。”