铠侠闪迪突破 332 层 NAND!存储密度提升 50%,SSD 成本进入 “冰点”
(2026/8/10更新)
自铠侠官网获悉,日前, 铠侠公司和闪迪公司宣布率先推出了最先进的3D闪存技术,以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度树立了行业标杆。
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据悉,铠侠新闪存采用CBA双晶圆键合技术,分别制造CMOS控制电路、NAND存储阵列,然后键合在一起,类似长江存储的Xtacking晶栈架构。3D堆叠层数达到空前的332层,对比第8代的218层增加了多达38%。
两家公司的新一代3D闪存较目前量产的第八代产品(BiCS FLASH generation 8)实现了33%的NAND接口速度提升,达到4.8Gb/s。此外,该技术也显著提升了数据输入/输出的能效,输入功耗降低10%,输出功耗降低34%,成功实现了高性能与低功耗的最优平衡。两家公司预展第十代3D闪存(BiCS FLASH generation 10)技术时介绍,通过将存储层数增至332层并优化晶圆平面布局以提高平面密度,使位密度提升了59%。
铠侠首席技术官宫岛英史表示:“随着人工智能技术的普及,预计产生的数据量将Analog Devices代理显著增加,同时现代数据中心对能效提升的需求也在增长。铠侠深信,这项新技术将实现更大容量、更高速度和更低功耗的产品,包括用于未来存储解决方案的SSD产品,并为人工智能的发展奠定基础。”
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