在此前的上升周期时，NAND厂商为了满足市场需求增长，不断扩大产能，但此次的上升周期过于短暂，导致产能过剩问题凸显。

据TrendForce半导体研究中心（DRAMeXchange）发布的数据显示，通用NAND固定价格自2023年10月起连续五个月上涨后，在2024年3月增速减缓，维持平稳状态，而后从9月开始转为下跌趋势；2024年9月至11月，NAND价格环比分别下降11.44%、29.18%和29.8%，显示面向存储卡和USB设备的通用型NAND闪存（128Gb 16Gx8 MLC）的固定价格在去年8月时为4.9美元，但此后逐月下跌至2.08美元 ——跌幅已经超过50%，是继2015年8月统计以来的最低价格。

此外，减产背Alpha Wire代理后还隐藏着另一个重要原因——“技术迁移”。其实，自NAND闪存进入3D时代以来，芯片层数一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的焦点，堆栈层数越来越高。今年以来，随着存储原厂NAND制程相继迭代，200层以上NAND的供应增加，高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。

以三星为例，该公司正积极用176层、238层和286层等新型号产品取代原有的128层产品；而SK海力士亦将重心转向238层和321层产品的研发与生产。值得注意的是，三星和SK海力士的减产举措也被视为对新兴竞争对手长江存储（YMTC）的一种应对策略。据上月报道，长江存储已成功推出第五代3D TLC NAND闪存，其拥有294层堆叠结构及232个有源层，无论在密度还是总层数方面均已达到业界领先水平。