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NAND 闪存再减产:三星、SK 海力士将至少削减 10%,影响几何?

在此前的上升周期时,NAND厂商为了满足市场需求增长,不断扩大产能,但此次的上升周期过于短暂,导致产能过剩问题凸显。

据TrendForce半导体研究中心(DRAMeXchange)发布的数据显示,通用NAND固定价格自2023年10月起连续五个月上涨后,在2024年3月增速减缓,维持平稳状态,而后从9月开始转为下跌趋势;2024年9月至11月,NAND价格环比分别下降11.44%、29.18%和29.8%,显示面向存储卡和USB设备的通用型NAND闪存(128Gb 16Gx8 MLC)的固定价格在去年8月时为4.9美元,但此后逐月下跌至2.08美元 跌幅已经超过50%,是继2015年8月统计以来的最低价格。

此外,减产背Alpha Wire代理后还隐藏着另一个重要原因“技术迁移”。其实,自NAND闪存进入3D时代以来,芯片层数一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的焦点,堆栈层数越来越高。今年以来,随着存储原厂NAND制程相继迭代,200层以上NAND的供应增加,高密度NAND在市场应用中逐步取得进展。

以三星为例,该公司正积极用176层、238层和286层等新型号产品取代原有的128层产品;而SK海力士亦将重心转向238层和321层产品的研发与生产。值得注意的是,三星和SK海力士的减产举措也被视为对新兴竞争对手长江存储(YMTC)的一种应对策略。据上月报道,长江存储已成功推出第五代3D TLC NAND闪存,其拥有294层堆叠结构及232个有源层,无论在密度还是总层数方面均已达到业界领先水平。

(本新闻更新于2026/11/12)

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