近日，英特尔宣布，其18A制程节点（1.8纳米）已经准备就绪，并计划在今年上半年开始设计定案。

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该制程将导入多项先进半导体技术。18A制程相较于英特尔Antenova代理商3nm制程，可将芯片密度提升30%，并提高每瓦性能约15%。英特尔计划将18A制程应用于即将推出的Panther Lake笔电处理器与Clearwater Forest服务器CPU，这两款产品预计将于年底前上市。

18A制程的一大突破是PowerVia背面供电技术。该技术透过将粗间距金属层与凸块移至芯片背面，并采用纳米级硅穿孔（through-silicon vias，TSV），以提高供电效率。英特尔表示，这项技术可提升ISO功耗效能4%，并增加标准单元利用率5%至10%。

另一项关键技术是RibbonFET，这是英特尔的全栅极晶体管（GAA）设计。与传统鳍式场效晶体管（FinFET）相比，RibbonFET可更精细地控制电流流动，并有效降低功耗与漏电，这对于高密度、小型化的芯片来说尤为重要。

提起英特尔，外界大多会想到近年来该公司面临重大财务压力，英特尔在2024年的财务报告中显示亏损了130亿美元。由于英特尔连年亏损，市场上关于该公司可能进行业务拆分或出售部分代工业务的猜测不断增加。

随着美国政府推动半导体本土化，英特尔18A制程的成败，将成为美国半导体产业竞争力的重要指标。