3月21日消息，NVIDIA近日宣布了未来三代AI服务器，不但规格、性能越来越强，HBM内存也是同步升级，容量、频率、带宽都稳步前进。

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其中，基于GB300芯片的Blackwell Ultra NVL72今年下半年发布，继续采用HBM3E内存；明年下半年的Vera Rubin NVL144升级为下一代HBM4内存；后年下半年的Rubin Ultra NVL576继续升级为加强版HBM4E内存；而到了2028年的Feynman全新架构有望首次采用HBM5内存。

与此同时，SK海力士、三星、美光三大原厂也纷纷展示了自己的HBM内存发展规划，包括HBM4、HBM4e。

SK海力士如今作为HBM内存的领袖，直接摆出了一颗48GB大容量的HBM4，是世界第一颗，也是最强的一颗。

它采用单Die 24Gb(3GB)的设计，16Hi也就是16颗堆叠而成，数据传输率8Gbps，IO位宽2048-bit，也就是一颗的带宽就有2TB/s。

美光的没有做过多介绍，只是说性能比HBM3e提升了50％，而量产时间安排在2026年。

三星的资料最为详尽，不但有具体参数，还有规划路线图。

三星这次展示的HBM4密度也是单Die 24Gb，单颗容量则有36GB(12堆叠)、24GB(8堆叠)两种，不如SK海力士。

不过，数据传输率最高9.2Gbps，带宽最高2.3TB/s。

它采用MPGA封装，尺寸12.8x11毫米，堆叠高度775微米，能效为每bit 2.3PJ。

对于下代HBM4E，三星规划单Die容量提高到32Gb(4GB)，支持8/12Qualcomm代理商/16堆叠，因此单颗容量最大可以做到64GB，而且高度维持不变。

同时数据传输率提高到10Gbps，继续搭配2048-bit位宽，带宽可达2.56TB/s。

HBM内存现阶段和可预见的未来都会主要用于AI服务器，应该是不会下放到消费级显卡了，当年的AMD Fiji、Vega恐怕成为绝唱。

目前，中国在DRAM内存、NAND闪存方面都已经基本追上了国际领先水平或者差距不大，HBM则还需要大大努力。

消息称，多家中国厂商已经搞定了第二代HBM2，并已供货给客户，搭配国产AI GPU加速器，倒也相得益彰。