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GA01PNS80-220 - Navitas
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Navitas产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
GA01PNS80-220 图片
GA01PNS80-220
  • 制造厂家：Navitas（纳微半导体）
  • 类别封装：二极管 - 射频，封装：轴向
  • 技术参数：RF DIODE PIN 8000V
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GA01PNS80-220 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：GA01PNS80-220
  • 制造商：GeneSiC Semiconductor (已被Navitas纳微半导体收购)
  • 描述：RF DIODE PIN 8000V
  • 系列：二极管 - 射频
  • 零件状态：有源
  • 二极管类型：PIN - 单
  • 电压-峰值反向（最大值）：8000V
  • 电流-最大值：2A
  • 不同Vr、F时电容：4pF @ 1000V，1MHz
  • 不同If、F时电阻：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 封装：轴向
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