射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
G3F33MT06L-TR - Navitas
Navitas代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Navitas产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
G3F33MT06L-TR 图片
G3F33MT06L-TR
  • 制造厂家：Navitas（纳微半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TOLL
  • 技术参数：650V 27M TO-LL G3F SIC MOSFET
  • 需要G3F33MT06L-TR的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
G3F33MT06L-TR 技术参数详情：
  • 型号:G3F33MT06L-TR
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:TOLL
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:650V 27M TO-LL G3F SIC MOSFET
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiC（碳化硅结晶体管）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:38 毫欧 @ 26A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.3V @ 12mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:81 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+22V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2394 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:333W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TOLL
  • 封装/外壳:8-PowerSFN
  • 快速提供G3F33MT06L-TR专业且全面的报价，Navitas代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Navitas品牌LOGO
更多Navitas产品：
Navitas公司授权代理商
Meritek
Magnetics
AHV
Sivers
Matrix Orbital
G3F33MT06L-TR（制造商：Navitas） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台