G3F25MT06K - Navitas
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图片信息
G3F25MT06K
制造厂家:
Navitas(纳微半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-247-4
技术参数:
650V 20M TO-247-4 G3F SIC MOSFET
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G3F25MT06K 技术参数详情:
型号:G3F25MT06K
品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
封装:TO-247-4
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:650V 20M TO-247-4 G3F SIC MOSFET
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss):650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):27.5 毫欧 @ 35A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):108 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2939 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):294W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247-4
封装/外壳:TO-247-4
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