射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
G2R50MT33K - Navitas
Navitas代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Navitas产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
G2R50MT33K 图片
G2R50MT33K
  • 制造厂家：Navitas（纳微半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-247-4
  • 技术参数：3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
  • 需要G2R50MT33K的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
G2R50MT33K 技术参数详情：
  • 型号:G2R50MT33K
  • 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
  • 封装:TO-247-4
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:3300 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 40A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 10mA（典型值）
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）:+25V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7301 pF @ 1000 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:536W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247-4
  • 封装/外壳:TO-247-4
  • 快速提供G2R50MT33K专业且全面的报价，Navitas代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Navitas品牌LOGO
更多Navitas产品：
Navitas公司授权代理商
Finder
Cooling Source
ESPROS
CSR
CR Magnetics
G2R50MT33K（制造商：Navitas） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台