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SA630D/01,112 - NXP
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图片信息
SA630D/01,112 图片
SA630D/01,112
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：射频和无线 > 射频开关，封装:8-SO
  • 技术参数：IC RF SWITCH SPDT 1GHZ 8SO
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SA630D/01,112 技术参数详情：
  • 型号:SA630D/01,112
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:8-SO
  • 类目:射频和无线 > 射频开关
  • 描述:IC RF SWITCH SPDT 1GHZ 8SO
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 射频类型:通用
  • 拓扑:吸收
  • 电路:SPDT
  • 频率范围:0Hz ~ 1GHz
  • 隔离:30dB
  • 插损:2dB
  • 测试频率:900MHz
  • P1dB:18dBm
  • IIP3:33dBm
  • 特性:单线路控制
  • 阻抗:50 欧姆
  • 电压 - 供电:3V ~ 5.5V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SO
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