PZM6.2NB2,115 - NXP
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图片信息
PZM6.2NB2,115
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管,封装:SMT3; MPAK
技术参数:
DIODE ZENER 6.2V 300MW SMT3
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PZM6.2NB2,115 技术参数详情:
型号:PZM6.2NB2,115
品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
封装:SMT3; MPAK
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
描述:DIODE ZENER 6.2V 300MW SMT3
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.2 V
容差:±2%
功率 - 最大值:300 mW
阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 3 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
工作温度:-65°C ~ 150°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SMT3; MPAK
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PZM6.2NB2,115
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