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PZM5.6NB3,115 - NXP
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图片信息
PZM5.6NB3,115 图片
PZM5.6NB3,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管，封装:SMT3; MPAK
  • 技术参数：DIODE ZENER 5.6V 300MW SMT3
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PZM5.6NB3,115 技术参数详情：
  • 型号:PZM5.6NB3,115
  • 品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
  • 封装:SMT3; MPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 5.6V 300MW SMT3
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):5.6 V
  • 容差:±2%
  • 功率 - 最大值:300 mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt):40 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 A @ 2.5 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SMT3; MPAK
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