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PTVS8V0S1UTR,115 - NXP
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图片信息
PTVS8V0S1UTR,115 图片
PTVS8V0S1UTR,115
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：二极管TVS，SOD123W
  • 技术参数：TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123W
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PTVS8V0S1UTR,115 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PTVS8V0S1UTR,115
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：TVS DIODE 8VWM 13.6VC SOD123W
  • 系列：自动, AEC-Q101
  • 类型：齐纳
  • 单向通道：1
  • 双向通道：-
  • 电压 - 反向关态（典型值）：8V
  • 电压 - 击穿（最小值）：8.89V
  • 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：13.6V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)：29.4A
  • 功率 - 峰值脉冲：400W
  • 电源线路保护：无
  • 应用：自动
  • 不同频率时的电容：-
  • 工作温度：-55°C ~ 185°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOD-123W
  • 供应商器件封装：SOD123W
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