PSMN8R7-80PS,127 - NXP
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图片信息
PSMN8R7-80PS,127
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,TO-220AB
技术参数:
MOSFET N-CH 80V TO220AB
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PSMN8R7-80PS,127 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PSMN8R7-80PS,127
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET N-CH 80V TO220AB
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):80V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):90A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.7 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):52nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3346pF @ 40V
功率 - 最大值:170W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
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PSMN8R7-80PS,127
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