PSMN4R2-60PLQ - NXP
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图片信息
PSMN4R2-60PLQ
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,TO-220AB
技术参数:
MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
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PSMN4R2-60PLQ 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PSMN4R2-60PLQ
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO-220
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):130A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):151nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8533pF @ 25V
功率 - 最大值:263W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
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