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PSMN2R1-60CSJ - NXP
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图片信息
PSMN2R1-60CSJ 图片
PSMN2R1-60CSJ
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单端场效应管，原厂封装
  • 技术参数：MOSFET N-CH 60V D2PAK
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PSMN2R1-60CSJ 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PSMN2R1-60CSJ
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V D2PAK
  • 系列：-
  • FET 类型：-
  • FET 功能：-
  • 漏源极电压 (Vdss)：-
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
  • 功率 - 最大值：-
  • 安装类型：*
  • 封装/外壳：*
  • 供应商器件封装：*
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