PSMN2R0-30YLDX - NXP
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图片信息
PSMN2R0-30YLDX
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
FET - 单,SC-100,SOT-669,4-LFPAK
技术参数:
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
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PSMN2R0-30YLDX 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号: PSMN2R0-30YLDX
制造商:NXP(恩智浦半导体)
功能总体简述: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2969pF @ 15V
功率 - 最大值: 142W
安装类型: *
封装/外壳: SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供应商器件封装: LFPAK56,Power-SO8
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