PSMN075-100MSEX - NXP
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图片信息
PSMN075-100MSEX
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,LFPAK33
技术参数:
MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
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PSMN075-100MSEX 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PSMN075-100MSEX
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET N-CH 100V 18A LFPAK33
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A(Tj)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):71 毫欧 @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):773pF @ 50V
功率 - 最大值:65W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 根引线)
供应商器件封装:LFPAK33
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