PSMN011-60MLX - NXP
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图片信息
PSMN011-60MLX
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,LFPAK33
技术参数:
MOSFET N-CH 60V LFPAK33
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PSMN011-60MLX 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PSMN011-60MLX
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET N-CH 60V LFPAK33
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):61A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11.3 毫欧 @ 15A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.45V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):37.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2191pF @ 30V
功率 - 最大值:91W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 根引线)
供应商器件封装:LFPAK33
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PSMN011-60MLX
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