PMZB600UNEYL - NXP
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图片信息
PMZB600UNEYL
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
FET - 单,3-XFDFN
技术参数:
MOSFET N-CH 20V 3QFN
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PMZB600UNEYL 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号: PMZB600UNEYL
制造商:NXP(恩智浦半导体)
功能总体简述: MOSFET N-CH 20V 3QFN
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 600mA(Ta)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 620 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 21.3pF @ 10V
功率 - 最大值: 360mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-XFDFN
供应商器件封装: DFN1006B-3
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