PMXB56EN - NXP
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图片信息
PMXB56EN
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
单端场效应管,3-DFN
技术参数:
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
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PMXB56EN 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号:PMXB56EN
制造商:NXP(恩智浦半导体)
描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.2A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):55 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):209pF @ 15V
功率 - 最大值:400mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:3-DFN (1.1x1)
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