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PMXB360ENEAZ - NXP
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图片信息
PMXB360ENEAZ 图片
PMXB360ENEAZ
  • 制造厂家：NXP（恩智浦半导体）
  • 类别封装：单端场效应管，3-DFN
  • 技术参数：MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
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PMXB360ENEAZ 技术参数详情：
  • NXP恩智浦完整型号：PMXB360ENEAZ
  • 制造商：NXP（恩智浦半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：80V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：450 毫欧 @ 1.1A， 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：130pF @ 40V
  • 功率 - 最大值：400mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：3-XFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：3-DFN （1.1x1）
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