PMV20ENR - NXP
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图片信息
PMV20ENR
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
FET - 单,TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
技术参数:
MOSFET N-CH 30V SOT23
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PMV20ENR 技术参数详情:
NXP恩智浦完整型号: PMV20ENR
制造商:NXP(恩智浦半导体)
功能总体简述: MOSFET N-CH 30V SOT23
系列: -
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 6A(Ta)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 21毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 10.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 435pF @ 15V
功率 - 最大值: 510mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: TO-236AB(SOT23)
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