PMPB23XNEZ - NXP
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图片信息
PMPB23XNEZ
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:DFN2020MD-6
技术参数:
PMPB23XNE - 20 V, SINGLE N-CHANN
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PMPB23XNEZ 技术参数详情:
型号:PMPB23XNEZ
品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
封装:DFN2020MD-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:PMPB23XNE - 20 V, SINGLE N-CHANN
系列:-
包装:散装
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):22 毫欧 @ 7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):17 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1136 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.7W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:DFN2020MD-6
封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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