PMN38EN,165 - NXP
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图片信息
PMN38EN,165
制造厂家:
NXP(恩智浦半导体)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:SC-74
技术参数:
MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
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PMN38EN,165 技术参数详情:
型号:PMN38EN,165
品牌:NXP USA Inc. (NXP,恩智浦)
封装:SC-74
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):38 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):495 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.75W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SC-74
封装/外壳:SC-74,SOT-457
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PMN38EN,165
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